Преглед на продукта
Нашата система за ецване с йонен лъч (IBE) е високо-прецизно оборудване за обработка на материали, предназначено за индустрията за микро-нано производство. Той използва фокусиран и контролируем йонен лъч за извършване на физическо ецване върху повърхността на тънко-слойни материали, което позволява селективно ецване или процеси на повдигане-с висока точност.
Тази система е професионално проектирана за обработка на широка гама от тънкослойни-материали, включително, но не само Cu, Cr, Pt, Au, Ti, Ag и Al₂O₃. Той поддържа стандартни размери на пластини от 6 инча и 8 инча, което го прави изключително съвместим с основните производствени процеси на полупроводници и микро-електро-механични системи (MEMS). Чрез използването на ниска{7}}температура и ниска{8}}увреждаща технология за гравиране, той осигурява идеално решение за подготовката на високо-производителни микро-нано устройства.
Предимства
Висока точност и контрол на процеса
Системата е интегрирана с усъвършенствана система за откриване на крайни точки за ецване, която позволява-наблюдение в реално време и прецизен контрол на целия процес на ецване. Това гарантира отлична повторяемост и точност, с еднаквост на ецване по-малка или равна на ±5% (както в рамките на пластина, така и на пластина-към-вафла), гарантирайки постоянни резултати с високо-качество в производствените партиди.
Превъзходна съвместимост на процесите
Той отговаря на изискванията за много-ъгли, ниска-температура (0 градуса – 30 градуса) и ниски-увреждания за гравиране. Тази способност е от решаващо значение за защита-чувствителни на температура и крехки материали, минимизиране на повредата на субстрата и запазване на присъщите свойства на тънките слоеве, като по този начин значително се подобрява добивът и производителността на устройството.
Гъвкава и мащабируема конфигурация
За да посрещне разнообразни нужди от производство и научноизследователска и развойна дейност, системата предлага опционална архитектура на клъстерен инструмент. Този модулен дизайн позволява интегрирането на множество процесни камери, улеснявайки безпроблемната интеграция на процесите, високо{1}}обемно производство и ефективна автоматизация на работния процес, което го прави подходящ както за лабораторни изследвания, така и за промишлено масово производство.
Приложения
Системата за ецване с йонен лъч е критична част от оборудването в областта на усъвършенстваното микро-нано производство с широк спектър от приложения:
1. Производство на полупроводникови устройства
Използва се за прецизно моделиране на метални електроди, взаимовръзки и гейт структури в интегрални схеми (ИС), както и за подрязване и регулиране на тънкослойни резистори и кондензатори.
2. Производство на MEMS и NEMS
Той играе жизненоважна роля в производството на микро-сензори, микро-задвижващи механизми и други MEMS/NEMS устройства, като позволява създаването на микроструктури с високо-аспектно-съотношение и окачени структури с висока точност.
3. Производство на оптоелектронни устройства
Прилага се за обработка на тънко-слойни материали в лазери, фотодетектори и оптични вълноводи, улеснявайки производството на високо-производителни оптоелектронни компоненти.
4. Разширено опаковане и свързване
Използва се в усъвършенствани технологии за опаковане за селективно ецване на слоеве за преразпределение (RDL) и подготовката на високо-прецизни изпъкнали структури.
ЧЗВ
Въпрос: 1. Какво представлява системата за ецване с йонен лъч (IBE)?
О: Системата за ецване с йонен лъч (IBE) е високо{0}}прецизно микро-нано обработващо оборудване, което използва фокусиран йонен лъч за извършване на физическо ецване върху тънко-слойни материали. Използва се главно за селективно ецване и отстраняване на различни тънки филми и се използва широко в полупроводниците, MEMS, оптоелектрониката и други области.
Въпрос: 2. За какви материали е подходяща системата IBE?
О: Тази IBE система е подходяща за селективно ецване или отстраняване на тънко{0}}слойни материали като Cu, Cr, Pt, Au, Ti, Ag и Al₂O₃ и може да отговори на нуждите за обработка на различни обикновени метални и диелектрични тънки филми.
Въпрос: 3. Какви размери на пластини поддържа машината за ецване с йонен лъч?
О: Машината за ецване с йонен лъч поддържа два стандартни размера на пластини: 6 инча и 8 инча, което е съвместимо с масовите спецификации за обработка на пластини в индустрията и отговаря на нуждите на R&D и дребно-серийно производство.
В: 4. Какви са предимствата на технологията за ецване с йонен лъч?
О: Офортът с йонен лъч има предимствата на ниска температура (0 градуса ~30 градуса), ниски щети, много{2}}ъглова обработка и висока равномерност. Може да намали топлинния стрес и материалните щети и да гарантира стабилността и последователността на процеса на ецване.
Въпрос: 5. Каква е еднородността на ецването на системата IBE?
Да, машината за ецване с йонен лъч е интегрирана с усъвършенствана система за откриване на крайни точки за ецване, която може да наблюдава процеса на ецване в реално време, да осъществява прецизен контрол на процеса на ецване и да избягва прекалено-ецване или недостатъчно-ецване.
В: 6. Машината за ецване с йонен лъч има ли функция за откриване на крайна точка?
О: Да, машината за ецване с йонен лъч е интегрирана с усъвършенствана система за откриване на крайни точки за ецване, която може да наблюдава процеса на ецване в реално време, да осъществява прецизен контрол върху процеса на ецване и да избягва прекалено-ецване или недостатъчно-ецване.
В: 7. Може ли системата IBE да бъде конфигурирана с множество камери за процес?
О: Да, системата IBE поддържа опционална клъстерна архитектура, която може да бъде оборудвана с множество процесни камери за ецване, за да отговори на нуждите от гъвкаво превключване на процеси и подобрена производствена ефективност.
Популярни тагове: ibe система, Китай ibe системи производители, доставчици
