Преглед на продукта
Тази пещ за високо{0}}температурно оксидиране на SiC е специализирано устройство за термична обработка, създадено за производство на полупроводници от силициев карбид. Използва се главно за отглеждане на високо-качествени оксидни слоеве на затвора за SiC MOSFET, поддържащи процеси, които изискват ниска плътност на прихващане на интерфейса и висока мобилност на канала. Освен производството на SiC MOSFET, той може да се справи и с различни други високо{4}}температурни окислителни процеси при производството на полупроводници.
Предимства
1. Стабилна и равномерна обработка: Дву-слойната вакуумно{2}}запечатана структура поддържа околната среда на процеса постоянна, докато температурата и еднородността на газовия поток спомагат за гарантиране на качеството на оксида в пластините.
2. Чиста среда за обработка: Материалите с термично поле с висока-чистота намаляват замърсяването с метали и частици при високи температури, като поддържат нуждите от чистота на модерните полупроводникови процеси.
3. Опции за гъвкава атмосфера: Поддържа ниско-налягане, сух кислород, NO и други атмосферни обработки, което го прави адаптивен към различни изисквания на процеса на окисление.
4. Вградена -възможност за почистване: Включва онлайн функция за почистване с метални йони, за да помогне за премахване на примесите от пластините и камерата, като подобрява цялостната чистота на процеса.
5. Широка съвместимост на процесите: Работи с 6--инчови и 8-инчови пластини, с партидни размери от 50 или 75 броя и работи при 800 градуса до 1500 градуса, подходящ както за научноизследователска и развойна дейност, така и за използване в производствен мащаб.
Приложения
1. Основна употреба: Растеж на оксида на затвора в производството на SiC MOSFET, спомагащ за постигане на ниска плътност на прихващане на интерфейса и висока мобилност на канала за по-добра производителност на устройството.
2. Разширена употреба: Други процеси на високо-температурно окисляване и термична обработка в производството на полупроводници, като подготовка на оксиден филм за широко-широколентови материали и отгряване на пластини.
3. Използване на научноизследователска и развойна дейност: Разработване и оптимизиране на процеси в лаборатории и изследователски институции, работещи върху SiC и модерни полупроводникови технологии.
ЧЗВ
Въпрос: 1. Какво представлява пещ за високотемпературно-окисляване на SiC?
О: Това е професионално оборудване за термична обработка за производство на полупроводници от SiC, използвано главно за отглеждане на високо-качествен затворен оксид в SiC MOSFET и други процеси на високо-температурно окисление.
В: 2. Какви размери на вафли и партиден капацитет поддържа?
О: Поддържа 6-инчови и 8-инчови вафли, с партиден капацитет от 50 броя/партида или 75 броя/партида, подходящи за R&D и масово производство.
В: 3. Какъв е температурният диапазон на процеса на пещта за окисляване на SiC?
О: Температурата на процеса варира от 800 градуса до 1500 градуса, отговаряйки на изискванията за високо-температурно окисляване на SiC материалите.
В: 4. С какви атмосфери и процеси може да се справи?
О: Поддържа ниско-налягане, сух кислород, NO и други атмосферни обработки и има онлайн функция за почистване с метални йони.
Въпрос: 5. Как осигурява чистота и еднородност на процеса?
О: Той използва дву{0}}слойна структура за вакуумно запечатване и материали с високо-чисто термично поле, осигуряващи еднородност на температурата/газовия поток и намаляващи замърсяването с метали/частици.
Популярни тагове: sic високотемпературна окислителна пещ, Китай sic високотемпературна окислителна пещ производители, доставчици
