Преглед на продукта

В линията за производство на полупроводници системата за покритие и проявяване е незаменимо ключово оборудване, което е от съществено значение от първоначалния прототип на чипа до формирането на модели на верига. След получаване на субстрата системата за нанасяне на покритие и проявяване първо активира системата за високо-въртене. Фоторезистът се разпръсква равномерно с прецизно{3}}контролираната скорост въртяща се маса и дори ръбовете с ниво на милиметър- могат да бъдат покрити гладко-тази стъпка е най-тестът за прецизност и леко отклонение ще повлияе на последващата производителност на чипа.

Покритият фоторезист все още трябва да се втвърди. Вградената-нагревателна плоча на системата за покритие и проявяване ще се нагрее постепенно, за да направи адхезивния слой здраво прилепнал към основата. След като литографската машина завърши експонирането, тя веднага поема процеса на проявяване. Чрез контролиране на температурата и интензитета на пръскане на проявителя, той премахва неизложения излишен адхезивен слой и по този начин се разкрива основният модел на интегралната схема.

При практическа употреба прецизността на ширината на линията на системата за покритие и проявяване е особено надеждна и е подходяща за различни процеси на производство на чипове. Освен това производственият капацитет, който е най-ценен в производствената линия, също е отличен. Той може да обработва голям брой субстрати на час, като същевременно има ниско използване на паметта. Той може да работи непрекъснато повече от десет часа стабилно и може напълно да се справи с ритъма на масовото производство.

Моля, свържете се с нашите търговски представители, за да получите най-подходящото решение за вас.

Предимства

Високо{0}}прецизното производство на чипове разчита на прецизна техника на центрофугиране, която гарантира последователно нанасяне на фоторезист и значително намалява последващите трудности при обработката.

Сложни проблеми, като настройка на времето и прехвърляне на пластини между устройства, се справят лесно със специални методи за съвместен контрол.

Значителният напредък в точността на температурния контрол, хомогенността на ниво наномащаб и контролът на дефектите доведоха до нива на добив над 90%.

Специализираното решение за центрофугиране е подходящо за всички видове субстрати и може да се прилага върху вафли с различна дебелина и необичайни форми.

Равномерността и ефективността се балансират от оптимизирана скорост на въртене и натиск на покритието, което значително намалява загубите на добив и улеснява производството на чипове с неправилна форма.

Параметри

①DS 100

product-402-460

Преглед на устройството DS 100
Размер на устройството (mm)	*282510801600* 2C2D+интерфейс	Размер на вафлата	2-6 инча вафли (50mm-100mm)
WPH	По-малко или равно на 160 бр	MTTR	По-малко или равно на 4 часа
Рейтинг за заслуги	Class1@0.1μm Само зона за прехвърляне на вафли	MTBF	По-голямо или равно на 1000 часа
Приложим процес	I линия, PI, PR	MTBM	>шест месеца
Вафлен контактен материал	PEEK/PTFE/КЕРАМИКА	Процент на счупване на вафли	По-малко или равно на 0,01%
Касети	SMIF; ОТВОРЕНА КАСЕТА	АКТУАЛНО ВРЕМЕ	По-голямо или равно на 95%
Област на приложение	Съставен полупроводник, интегрална схема, захранващо устройство, научноизследователски проект, оптично устройство, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, деформираща пластина, квадратна пластина	Софтуерна среда за изпълнение	Windows 10 или по-нова операционна система
Минимална ширина на линията	350 nm	Модул за студени и котлони	(HP; CPL; ADH; HHP) По-малко или равно на 14PCS

②DS 200

product-1204-1106

Преглед на устройството DS 200
Размер на устройството (mm)	*166015102000* (Дизайн на кула)	Размер на вафлата	2-6 инча вафли (50mm-100mm)
WPH	По-малко или равно на 150 бр	MTTR	По-малко или равно на 4 часа
Рейтинг за заслуги	Class1@0.1μm Само зона за прехвърляне на вафли	MTBF	По-голямо или равно на 1000 часа
Приложим процес	I линия, PI, PR	MTBM	>шест месеца
Вафлен контактен материал	PEEK/PTFE/КЕРАМИКА	Процент на счупване на вафли	По-малко или равно на 0,01%
Касети	SMIF; ОТВОРЕНА КАСЕТА	АКТУАЛНО ВРЕМЕ	По-голямо или равно на 95%
Област на приложение	Съставен полупроводник, LED, оптично устройство, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, изкривяваща пластина, квадратна пластина	Софтуерна среда за изпълнение	Windows 10 или по-нова операционна система
Минимална ширина на линията	350 nm	Модул за студени и котлони	(HP; CPL; ADH; HHP) По-малко или равно на 14PCS

③DS 300

product-369-492

Преглед на устройството DS300
Размер на устройството (mm)	*285013602200* 2C2D+интерфейс	Размер на вафлата	4-8 инча вафли (100 mm- 200 mm)
WPH	По-малко или равно на 160 бр	MTTR	По-малко или равно на 4 часа
Рейтинг за заслуги	Class1@0.1μm Само зона за прехвърляне на вафли	MTBF	По-голямо или равно на 1000 часа
Приложим процес	I линия, PI, PR	MTBM	>шест месеца
Вафлен контактен материал	ASML, Nikon, CANON, CECT, SMCC	Процент на счупване на вафли	По-малко или равно на 0,01%
Касети	SMIF; ОТВОРЕНА КАСЕТА	АКТУАЛНО ВРЕМЕ	По-голямо или равно на 95%
Област на приложение	Съставен полупроводник, интегрална схема, захранващо устройство, чип памет, научноизследователски проект, оптично устройство, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, деформираща пластина, квадратна пластина	Софтуерна среда за изпълнение	Windows 10 или по-нова операционна система
Минимална ширина на линията	180 nm	Модул за студени и котлони	(HP; CPL; AD; DHP) По-малко или равно на 24PCS

④DS 400

product-589-441

Преглед на устройството DS 400
Размер на устройството (mm)	*397516552550* 4C4D+интерфейс	Размер на вафлата	6-8 инча вафли (150 mm- 200 mm)
WPH	По-малко или равно на 180 бр	MTTR	По-малко или равно на 4 часа
Рейтинг за заслуги	Class1@0.1μm Само зона за прехвърляне на вафли	MTBF	По-голямо или равно на 1000 часа
Приложим процес	I линия, KrF, ArF, PI, PR, Пакет	MTBM	>шест месеца
Вафлен контактен материал	ASML, Nikon, CANON, CECT, SMCC	Процент на счупване на вафли	По-малко или равно на 0,01%
Касети	FOUP; SMIF; ОТВОРЕНА КАСЕТА	АКТУАЛНО ВРЕМЕ	По-голямо или равно на 95%
Област на приложение	Съставен полупроводник, интегрална схема, захранващо устройство, чип памет, научноизследователски проект, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, деформираща пластина, квадратна пластина	Софтуерна среда за изпълнение	Windows 10 или по-нова операционна система
Минимална ширина на линията	90 nm	Модул за студени и котлони	(LHP; CPL; ADH; HCH; PHP; HCP) По-малко или равно на 38PCS

⑤DS 500

product-501-501

Преглед на устройството DS 500
Размер на устройството (mm)	*537021002650* 4C4D+интерфейс	Размер на вафлата	8- 12 инча вафли (200 мм- 300 мм)
WPH	По-малко или равно на 200 бр	MTTR	По-малко или равно на 4 часа
Рейтинг за заслуги	Class1@0.1μm Само зона за прехвърляне на вафли	MTBF	По-голямо или равно на 1000 часа
Приложим процес	I линия, KrF, ArF, PI, PR, Пакет	MTBM	>шест месеца
Вафлен контактен материал	ASML, Nikon, CANON, CECT, SMCC	Процент на счупване на вафли	По-малко или равно на 0,01%
Касети	FOUP; SMIF	АКТУАЛНО ВРЕМЕ	По-голямо или равно на 95%
Област на приложение	Съставен полупроводник, интегрална схема, захранващо устройство, чип памет, научноизследователски проект, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, деформираща пластина, квадратна пластина, CoWoS	Софтуерна среда за изпълнение	Windows 10 или по-нова операционна система
Минимална ширина на линията	45nm	Модул за студени и котлони	(LHP; CPL; ADH; HCH; PHP; HCP) По-малко или равно на 42PCS